相变存储器产业或将爆发 相变存储器概念股一览

相变存储器有着功耗低、写入速度快、数据不易丢失等一系列优点,是下一代存储技术最佳解决方案之一。

近期,西安交通大学材料学院与中科院微系统所在相变存储方面取得最新重大突破。利用材料计算设计筛选出新型相变材料钪锑碲合金,材料用结构适配更稳定的钪碲化学加速晶核孕育过程,降低了形核过程随机性,加快写入操作速度。与目前最好的相变器相比,钪锑碲器件操作速度提升了十倍,已达0.7纳秒高速,并降低操作功耗10倍。科研成果已发表在美国Science杂志上

相变存储器有功耗低、写入速度快、数据不易丢失等优点,是下一代存储技术最佳解决方案之一。新式钪锑碲相变存储器的解决了写入速度瓶颈问题,在我国突破国外技术壁垒、开发自主知识产权的存储器芯片有非常重要的价值。伴随着科研成果逐步落地,我国相变存储器产业化应用或加速爆发,而相关产业也将从中受益。

相关概念股:

南大光电(300346):生产制造相变存储器核心原材料。

朗科科技(300042):发明专利已覆盖新型存储介质。

紫光国蕊(002049):存储器龙头企业。

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